ପାରମ୍ପାରିକ ଏଲଇଡି ଦକ୍ଷତା ଦୃଷ୍ଟିରୁ ସେମାନଙ୍କର ଉନ୍ନତ ପ୍ରଦର୍ଶନ ହେତୁ ଆଲୋକ ଏବଂ ପ୍ରଦର୍ଶନ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବ ized ପ୍ଳବିକ ପରିବର୍ତ୍ତନ ଆଣିଛି |

ଦକ୍ଷତା, ସ୍ଥିରତା ଏବଂ ଉପକରଣ ଆକାର ଦୃଷ୍ଟିରୁ ସେମାନଙ୍କର ଉନ୍ନତ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ହେତୁ ପାରମ୍ପାରିକ ଏଲଇଡି ଆଲୋକ ଏବଂ ପ୍ରଦର୍ଶନ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବ ized ପ୍ଳବିକ ପରିବର୍ତ୍ତନ ଆଣିଛି |ଏଲଇଡିଗୁଡ଼ିକ ସାଧାରଣତ mill ମିଲିମିଟରର ଲାଟେରାଲ୍ ଡାଇମେନ୍ସନ୍ ସହିତ ପତଳା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଷ୍ଟାକ୍ ଅଟେ, ପାରମ୍ପାରିକ ଉପକରଣ ଯେପରିକି ଇନକାଣ୍ଡେସେଣ୍ଟ୍ ବଲ୍ବ ଏବଂ କ୍ୟାଥୋଡ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ଠାରୁ ବହୁତ ଛୋଟ |ଅବଶ୍ୟ, ଉଦୀୟମାନ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ଯେପରିକି ଭର୍ଚୁଆଲ୍ ଏବଂ ବର୍ଦ୍ଧିତ ବାସ୍ତବତା, ମାଇକ୍ରନ୍ କିମ୍ବା ତା’ଠାରୁ କମ୍ ଆକାରରେ ଏଲଇଡି ଆବଶ୍ୟକ କରେ |ଆଶା ହେଉଛି ମାଇକ୍ରୋ - କିମ୍ବା ସବମିକ୍ରନ୍ ସ୍କେଲ୍ ଏଲଇଡି (µଲେଡ୍ସ) ରେ ଅନେକ ଉନ୍ନତ ଗୁଣ ରହିଛି ଯାହା ପାରମ୍ପାରିକ ଲେଡ୍ ପୂର୍ବରୁ ଅଛି, ଯେପରିକି ଅତ୍ୟଧିକ ସ୍ଥିର ନିର୍ଗମନ, ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଉଜ୍ଜ୍ୱଳତା, ଅଲ୍ଟ୍ରା-ନିମ୍ନ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର, ଏବଂ ପୂର୍ଣ୍ଣ ରଙ୍ଗର ନିର୍ଗମନ, ଅଧିକ କମ୍ପାକ୍ଟ ପ୍ରଦର୍ଶନ ପାଇଁ ଅନୁମତି ଦେଇ ଅଞ୍ଚଳରେ ପ୍ରାୟ ଏକ ମିଲିୟନ୍ ଗୁଣ ଛୋଟ ଥିବାବେଳେ |ଏହିପରି ଲିଡ୍ ଚିପ୍ସ ଅଧିକ ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଫୋଟୋନିକ୍ ସର୍କିଟ୍ ପାଇଁ ବାଟ ଖୋଲିପାରେ ଯଦି ସେଗୁଡିକ ସି ଉପରେ ଏକକ-ଚିପ୍ ବ grown ଼ିପାରିବ ଏବଂ ସଂପୃକ୍ତ ଧାତୁ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର (CMOS) ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ସହିତ ଏକୀଭୂତ ହୋଇପାରିବ |

ଅବଶ୍ୟ, ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ, ଏହିପରି µleds ଅବହେଳିତ ରହିଆସିଛି, ବିଶେଷତ the ସବୁଜରୁ ନାଲି ନିର୍ଗମନ ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ ପରିସର ମଧ୍ୟରେ |ପାରମ୍ପାରିକ ଲିଡ୍-ଲିଡ୍ ପଦ୍ଧତି ହେଉଛି ଏକ ଟପ୍-ଡାଉନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଯେଉଁଥିରେ InGaN କ୍ୱାଣ୍ଟମ୍ କୂଅ (QW) ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରଗୁଡିକ ଏକ ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ମାଧ୍ୟମରେ ମାଇକ୍ରୋ-ସ୍କେଲ୍ ଡିଭାଇସରେ ସ୍ଥାନିତ ହୋଇଥାଏ |ପତଳା-ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର InGaN QW- ଆଧାରିତ tio2 µleds ଅନେକ InGaN ର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଗୁଣ ଯୋଗୁଁ ବହୁ ଦୃଷ୍ଟି ଆକର୍ଷଣ କରିଛି, ଯେପରିକି ଦୃଶ୍ୟମାନ ପରିସର ମଧ୍ୟରେ ଦକ୍ଷ ବାହକ ପରିବହନ ଏବଂ ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ ଟ୍ୟୁନିବିଲିଟି, ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ସେମାନେ ପାର୍ଶ୍ୱ କାନ୍ଥ ଭଳି ସମସ୍ୟାରେ ପୀଡିତ | ଉପକରଣର ଆକାର ହ୍ରାସ ହେବା ସହିତ ଖରାପ କ୍ଷତିଏହା ସହିତ, ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକର ଅସ୍ତିତ୍ୱ ହେତୁ, ସେମାନଙ୍କର ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ / ରଙ୍ଗ ଅସ୍ଥିରତା ଅଛି |ଏହି ସମସ୍ୟା ପାଇଁ, ଅଣ-ପୋଲାର ଏବଂ ସେମି-ପୋଲାର InGaN ଏବଂ ଫୋଟୋନିକ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ କ୍ୟାଭିଟି ସମାଧାନ ପାଇଁ ପ୍ରସ୍ତାବ ଦିଆଯାଇଛି, କିନ୍ତୁ ସେଗୁଡ଼ିକ ବର୍ତ୍ତମାନ ସନ୍ତୋଷଜନକ ନୁହେଁ |

ଆଲୋକ ବିଜ୍ଞାନ ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗରେ ପ୍ରକାଶିତ ଏକ ନୂତନ କାଗଜରେ, ଆନ୍ନାବେଲର ମିଚିଗାନ୍ ୟୁନିଭରସିଟିର ପ୍ରଫେସର ଜେଟିଆନ୍ ମିଙ୍କ ନେତୃତ୍ୱରେ ଅନୁସନ୍ଧାନକାରୀମାନେ ଏକ ସବମିକ୍ରନ୍ ସ୍କେଲ୍ ଗ୍ରୀନ୍ ଏଲଇଡି iii - ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ବିକଶିତ କରିଛନ୍ତି ଯାହା ଏହି ବାଧାବିଘ୍ନକୁ ଥରେ ଦୂର କରିଥାଏ |ଏହି µଲେଡ୍ ଗୁଡିକ ଆଞ୍ଚଳିକ ପ୍ଲାଜମା-ସହାୟକ ହୋଇଥିବା ମଲିକୁଲାର ବିମ୍ ଏପିଟାକ୍ସି ଦ୍ୱାରା ସିନ୍ଥାଇଜ୍ କରାଯାଇଥିଲା |ପାରମ୍ପାରିକ ଟପ୍-ଡାଉନ୍ ଆଭିମୁଖ୍ୟର ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ବିପରୀତରେ, ଏଠାରେ µled ନାନୋୱାୟାରର ଏକ ଆରେ ଧାରଣ କରିଥାଏ, ପ୍ରତ୍ୟେକଟି କେବଳ 100 ରୁ 200 nm ବ୍ୟାସ, ଦଶ ନାନୋମିଟର ଦ୍ୱାରା ପୃଥକ |ଏହି ଲୋ-ଅପ୍ ପଦ୍ଧତି ମୁଖ୍ୟତ later ପାର୍ଶ୍ୱ କାନ୍ଥର କ୍ଷୟକୁ ଏଡାଇଥାଏ |

ଡିଭାଇସର ହାଲୁକା ନିର୍ଗତ ଅଂଶ, ଯାହାକି ସକ୍ରିୟ ଅଞ୍ଚଳ ଭାବରେ ମଧ୍ୟ ଜଣାଶୁଣା, କୋର-ସେଲ୍ ଏକାଧିକ କ୍ୱାଣ୍ଟମ୍ କୂଅ (MQW) ସଂରଚନାକୁ ନେଇ ଗଠିତ, ଯାହା ନାନୋୱାୟର୍ ମର୍ଫୋଲୋଜି ଦ୍ୱାରା ବର୍ଣ୍ଣିତ |ବିଶେଷ ଭାବରେ, MQW InGaN କୂଅ ଏବଂ AlGaN ପ୍ରତିବନ୍ଧକକୁ ନେଇ ଗଠିତ |ପାର୍ଶ୍ୱ ତୃତୀୟ କାନ୍ଥରେ ଗ୍ରୁପ୍ ତୃତୀୟ ଉପାଦାନ ଇଣ୍ଡିୟମ୍, ଗାଲିୟମ୍ ଏବଂ ଆଲୁମିନିୟମ୍ ର ଆଡ୍ସର୍ବେଡ୍ ପରମାଣୁ ସ୍ଥାନାନ୍ତରର ପାର୍ଥକ୍ୟ ହେତୁ, ଆମେ ଜାଣିଲୁ ଯେ ନାନୋୱାୟାରର ପାର୍ଶ୍ୱ କାନ୍ଥରେ ଇଣ୍ଡିୟମ୍ ନିଖୋଜ ଅଛି, ଯେଉଁଠାରେ GaN / AlGaN ସେଲ୍ MQW କୋରକୁ ବୁରିଟୋ ପରି ଗୁଡ଼ାଇ ରଖିଛି |ଅନୁସନ୍ଧାନକାରୀମାନେ ଜାଣିବାକୁ ପାଇଲେ ଯେ ଏହି GaN / AlGaN ସେଲର ଅଲ ବିଷୟବସ୍ତୁ ନାନୋୱାୟାରର ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ୍ ପାର୍ଶ୍ୱରୁ ଗାତ ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ୍ ପାର୍ଶ୍ୱକୁ ଧୀରେ ଧୀରେ ହ୍ରାସ ପାଇଛି |GaN ଏବଂ AlN ର ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକର ପାର୍ଥକ୍ୟ ହେତୁ, AlGaN ସ୍ତରରେ ଅଲ ବିଷୟବସ୍ତୁର ଭଲ୍ୟୁମ୍ ଗ୍ରେଡିଏଣ୍ଟ୍ ମାଗଣା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସୃଷ୍ଟି କରେ, ଯାହା MQW କୋରରେ ପ୍ରବାହିତ ହେବା ସହ ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ କ୍ଷେତ୍ରକୁ ହ୍ରାସ କରି ରଙ୍ଗ ଅସ୍ଥିରତାକୁ ଦୂର କରିଥାଏ |

ପ୍ରକୃତରେ, ଅନୁସନ୍ଧାନକାରୀମାନେ ଜାଣିବାକୁ ପାଇଛନ୍ତି ଯେ ବ୍ୟାସାର୍ଦ୍ଧ ଏକ ମାଇକ୍ରନରୁ କମ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ, ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଲୁମାଇନ୍ସେନ୍ସର ଶିଖର ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ, କିମ୍ବା ସାମ୍ପ୍ରତିକ ପ୍ରେରିତ ଆଲୋକ ନିର୍ଗମନ, ବର୍ତ୍ତମାନର ଇଞ୍ଜେକ୍ସନର ପରିବର୍ତ୍ତନର କ୍ରମରେ ସ୍ଥିର ରହିଥାଏ |ଏଥିସହ, ପ୍ରଫେସର ମିଙ୍କ ଦଳ ସିଲିକନ୍ ଉପରେ ନାନୋୱାୟାର୍ ଲେଡ୍ ବ grow ାଇବା ପାଇଁ ସିଲିକନ୍ ଉପରେ ଉଚ୍ଚମାନର GaN ଆବରଣ ବ growing ାଇବା ପାଇଁ ଏକ ପଦ୍ଧତି ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିଛନ୍ତି |ଏହିପରି, ଅନ୍ୟ CMOS ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ସହିତ ଏକୀକରଣ ପାଇଁ ପ୍ରସ୍ତୁତ ଏକ ସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଏକ µଲେଡ୍ ବସିଥାଏ |

ଏହି µled ସହଜରେ ଅନେକ ସମ୍ଭାବ୍ୟ ପ୍ରୟୋଗ ଅଛି |ଚିପ ଉପରେ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ RGB ପ୍ରଦର୍ଶନର ନିର୍ଗମନ ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ ଲାଲ ହୋଇଯିବା ସହିତ ଡିଭାଇସ୍ ପ୍ଲାଟଫର୍ମ ଅଧିକ ଦୃ ust ହେବ |